![]() 半導体デバイステストシステム
专利摘要:
本発明はテストヘッダーの主要機能であるドライバー及びコンパレータをテストヘッダーの外部、望ましくは、ハイフィックスボードに拡張することにより、テストヘッダーのアップグレードがなくてもテストの生産性を倍加することができるようにした半導体デバイステストシステムに関する。また、本発明の半導体デバイステストシステムは、テスト制御装置によって半導体デバイスをテストするテストヘッダー及び、上記半導体デバイスと上記テストヘッダーとの間の電気的な連結を確立するが、上記テストヘッダー側ドライバーと一対をなして上記半導体デバイスから出力される読取信号を処理して上記テストヘッダーに伝達するDUTテストユニットを含んで構成されたハイフィックスボードとを含んでなる。 公开号:JP2011506959A 申请号:JP2010537841 申请日:2008-10-17 公开日:2011-03-03 发明作者:オー・セキュン;チャン・キュンフン;リ・ウンサン 申请人:インターナショナル・トレーディング・アンド・テクノロジー・カンパニー・リミテッドInternational Trading & Technology Co., Ltd.; IPC主号:G01R31-28
专利说明:
[0001] 本発明は、半導体デバイステストシステムに関するものであって、特にテストヘッダーの主要機能であるドライバー及びコンパレータをテストヘッダーの外部、望ましくは、ハイフィックスボードに拡張することにより、テストヘッダーのアップグレードがなくてもテストの生産性を倍加することができるようにした半導体デバイステストシステムに関するものである。] 背景技術 [0002] 周知のように、各種の半導体デバイスの製造過程において所定の組立工程を経て製造された半導体デバイスは、最終的に特定機能を発揮するかどうかをチェックするテスト工程を通すことになる。] [0003] 図1は従来の半導体デバイステストシステムの全体的な構成を示す斜視図である。図1に示すように、半導体デバイステストシステムの全体的な構成は、大きくは半導体デバイスをテストするテストヘッダー2と、一定数量の半導体デバイスを搬送してテストが行われるようにし、このテスト結果に応じて半導体デバイスを等級別に分類して積載するハンドラー3及び、テストヘッダー2とハンドラー3との間に介在され、半導体デバイスとテストヘッダー2との間の電気的な連結を確立するハイフィックス(HIFIX)ボード1とを含んでなる。すなわち、(m×n)行列のソケットが配列されたハイフィックスボード1とハンドラー3のテスト部(test site)とが整合した状態で、テストトレイ上のインサート内に安着された半導体デバイスとハイフィックスボード1上のソケットが互いに接触することで (m×n)個の半導体素子が同時にテストされるものである。] 図1 [0004] 図2は従来の半導体テストヘッダー装置を概略的に示す概要図である。] 図2 [0005] 図2に示すように、テストヘッダー20は、単一のテストヘッダー基板とその一面又は両面に搭載された各種回路素子とを含んでなるが、このようなテストヘッダー基板の構成をみると、半導体テストのための決まったテストパターン信号を発生させるALPG(ALgorithmic Pattern Generater)21と、ALPG21から出力されるテストパターン信号を半導体デバイス、いわゆるDUT(Device Under Test)30に記録するドライバー25及びDUT30により読み取られたテストパターンの読取信号と該当半導体の特性に対応される基準信号を比べてその比較値を出力するコンパレータ27を含むピンエレクトロニクス(Pin Electronic;PE)部及び、ピンエレクトロニクスのコンパレータ27で出力された信号に対してフェイル(fail)かどうかを判定するデジタル比較器23及び、半導体テストシステムを制御するテスト制御装置10とのインターフェースのためのインターフェース部(未図示)とを含んでなる。] 図2 [0006] 具体的に、ピンエレクトロニクスはDUT30に具備される半導体に直接テストパターンによる電流及び電圧を印加する回路であって、1つのI/O(input/output)チャンネルを形成するものである。また、ALPG21によってテストパターン信号が出力されると、ピンエレクトロニクスのドライバー25は該当テストパターン信号を、通常、BGA(Ball Grid Array)タイプのDUT30に具備されたテスト対象半導体に記録することになる。このように記録されたパターン信号はDUT30により読み取られてコンパレータ27に出力されることになり、コンパレータ27はテストパターンの読取信号と基準信号とを比べた結果による比較信号をデジタル比較器23に伝達し、デジタル比較器23は該当読取信号のフェイルかどうかを判定してその結果をインターフェース部を通じてテスト制御装置10に送る。] [0007] しかし、従来の半導体デバイステストシステムによれば、ハンドラーが複数のDUTを一度に多く取り扱うように求められて、最近、512個のDUTを一度に取り扱えるハンドラーが発売開始されている分、これに相応するテストヘッダーのアップグレードが必要とされるが、その装備の価格が結構高いので、テストヘッダーのアップグレードが容易でなくて生産性の向上に困難があるという問題点があった。] [0008] 勿論、1つのI/Oチャンネルを、言わば2つに分岐してテストヘッダー(例、256パラレル(parallel)級)とハンドラー(例、512パラレル級)との間の連結を確立することができるが、このような場合には分岐が行われた数だけDUTで出力する読取信号をテストヘッダーから読み込むことに長時間がかかって、全体的なテスト時間が増加するという問題点があった。すなわち、ハンドラーを一層アップグレードしたとしても、生産性は以前と変わらないというのである。] 発明が解決しようとする課題 [0009] 本発明は、前述の問題点を解決するために案出されたものであって、DUTで出力する読取信号をテストヘッダーではなく、DUTとテストヘッダーとの間に別途に設けられた外部装置、望ましくは、ハイフィックスボードで処理するが、この外部装置の性能をハンドラーと同級になるようにすることで、テストヘッダーのアップグレードがなくてもテストの生産性を倍加することができるようにした半導体デバイステストシステムを提供することにその目的がある。] 課題を解決するための手段 [0010] 上述の目的を奏するために本発明は、テスト制御装置によって半導体デバイスをテストするテストヘッダー及び、上記半導体デバイスと上記テストヘッダーとの間の電気的な連結を確立するが、上記テストヘッダー側ドライバーと一対をなして上記半導体デバイスから出力される読取信号を処理して上記テストヘッダーに伝達するDUTテストユニットを含んで構成されたハイフィックスボードとを含んでなる半導体デバイステストシステムを提供する。] [0011] 上述の構成において、上記DUTテストユニットは、上記テストヘッダーから入力されるパターン信号を上記半導体デバイスに記録するハイフィックス側ドライバーと、上記半導体デバイスから出力される読取信号と上記テストヘッダーから入力される基準信号を比べてその比較値を出力するハイフィックス側コンパレータとを含む複数のピンエレクトロニクス部と;上記複数のピンエレクトロニクス部それぞれに対応され、上記ハイフィックス側コンパレータで出力された信号に対してフェイルかどうかを判定してその結果を保存する複数のデジタル比較器と;上記テストヘッダーと上記複数のピンエレクトロニクス部との間の連結をオン/オフするスイッチの束及び上記スイッチの束を駆動するスイッチ駆動部とを含んでなることが望ましい。] [0012] また、上記スイッチ駆動部は上記テストヘッダーにより制御されることが望ましい。] [0013] また、上記ハイフィックス側ドライバーは上記テストヘッダーにより制御されることが望ましい。] [0014] また、上記DUTテストユニットは注文型半導体あるいはプログラム可能ゲート配列に具現することができる。] 発明の効果 [0015] 本発明の半導体デバイステストシステムによれば、テストヘッダーの一部機能をハイフィックスボードの方に拡張することにより、テストヘッダーのアップグレードがなくてもテストの生産性を倍加することができる効果がある。] 図面の簡単な説明 [0016] 従来の半導体デバイステストシステムの全体的な構成を示す斜視図である。 従来の半導体テストヘッダー装置を概略的に示す概要図である。 本発明の一実施例による半導体デバイステストシステムの電気的なブロック構成図である。] 実施例 [0017] 以下には添付の図面を参照して本発明の望ましい実施例により半導体デバイステストシステムについて詳細に説明する。] [0018] 図3は本発明の一実施例による半導体デバイステストシステムの電気的なブロック構成図である。] 図3 [0019] 図3に示すように、本発明による半導体デバイステストシステムの全体的な構成は、大きくはテスト制御装置100と、テスト制御装置100の制御によりDUTをテストするテストヘッダー200と、一定数量のDUTを搬送してテストが行われるようにし、このテスト結果に応じてDUTを等級別に分類して積載するハンドラー(未図示)及び、テストヘッダー200とハンドラーとの間に介在され、DUTとテストヘッダー200との間の電気的な連結を確立するが、テストヘッダー200の制御によってDUTで出力する読取信号を処理し、その結果をテストヘッダー200に伝達するハイピックスボード300とを含んでなる。] 図3 [0020] 上述の構成において、テストヘッダー200は、テスト制御装置100の制御によってシステムで要求される各種タイミング信号を発生させるタイミング発生部210と、タイミング発生部210を通じて発生されたタイミング信号に基づいて各種アルゴリズムパターンを発生させるALPG220と、ALPG220から出力されるテストパターン信号をDUTに記録するドライバー240及びDUTによって読み取られたテストパターンの読取信号と該当半導体の特性に対応される基準信号を比べてその比較値を出力するコンパレータ250を含むピンエレクトロニクス(Pin Electronic;PE)部と、ピンエレクトロニクス部のコンパレータ250で出力された信号に対してフェイルかどうかを判定するデジタル比較器260、及びDUTで出力される読取信号に対応する基準信号(基準電圧)をコンパレータ250とハイフィックスボード300に供給する基準電圧供給部230とを含んでなる。ここで、ALPG220はまた、テスト制御装置100の制御によりDUTで出力する読取信号を処理するために必要な制御信号をハイフィックスボード300に出力することになる。] [0021] 他にも、テストヘッダー200にはドライバー240ら間の時間遅延を補償(compensation)する時間遅延素子、DUTに対して各種DCパラメーター測定を行うDCパラメーター測定ユニット、言わばDUTで出力される電圧レベルあるいは電流レベルを記録する、すなわちDUTの出力電圧や出力電流をテストするためのカレントロード(current load)及びDUTに電圧を印加して電流を測定(VFIM)するかDUTに電流を印加して電圧を測定(IFVM)する高精密DC測定回路であるPMU(Programmable Measurement Unit)が更に含まれることができる。] [0022] 次に、ハイフィックスボード300は(m×n)行列のソケットが配列されているものであって、すなわち、ハイフィックスボード300とハンドラーのテスト部とが互いに整合になった状態で、テストトレイ上のインサート内に安着されたDUTとハイフィックスボード300上のソケットが互いに接触することで(m×n)個の半導体素子が同時にテストされるものである。] [0023] また、ハイフィックスボード300はテストヘッダー200の代わりにDUTで出力する読取信号を処理するDUTテストユニットを更に含んでなるが、このようなDUTテストユニットは上記のソケットとは別途のPCB基板に装着されることができ、注文型半導体(application specific integrated circuit)あるいはプログラム可能ゲート配列(field−programmable gate array;FPGA)に具現されることができる。ここで、DUT テストユニットはテストヘッダー200側ドライバー240と一対をなすものである。したがって、テストヘッダー200に、言わばドライバーが256個形成されているものであれば、ハイフィックスボード300にも256個のDUTテストユニットが存在するものである。] [0024] 具体的に、DUTテストユニットは、複数のピンエレクトロニクス部341、343と、複数のピンエレクトロニクス部341、343それぞれに対応される複数のデジタル比較器331、333と、テストヘッダー200と複数のピンエレクトロニクス部341、343間の連結をオン/オフするスイッチの束320及び、テストヘッダー200側ALPG220の制御によりスイッチの束320を駆動するデコーダー(decoder)であるスイッチ駆動部310とを含んでなる。] [0025] ここで、複数のピンエレクトロニクス部341、343それぞれは、テストヘッダー200から入力されるパターン信号をDUTに記録するハイフィックス側ドライバー341a、343aと、DUTで出力される読取信号とテストヘッダー側基準電圧供給部230から入力される基準信号を比べてその比較値を出力するハイフィックス側コンパレータ341b、343bとを含んでなる。また、ハイフィックス側デジタル比較器331、333はハイフィックス側コンパレータ341b、343bで出力された信号に対してフェイルかどうかを判定し、その判定結果を保存する。] [0026] 本発明による半導体デバイステストシステムの動作についてより具体的に説明すると以下のとおりである。] [0027] まず、半導体デバイステストシステムがALPG220で発生されるテストパターン信号をDUTに記録する場合をみると、スイッチの束320でテストヘッダー側ドライバー240とハイフィックス側ドライバー341a、343aを連結するスイッチはオン状態となり、他のスイッチはオフ状態となる。また、テストヘッダー側ALPG220は書き取りモードに設定する制御信号を出力してハイフィックス側ドライバー341a、343aとテストヘッダー側ドライバー240を駆動させる。これにより、テストヘッダー側ドライバー240で出力されるパターン信号はハイフィックス側ドライバーの数だけ分岐して該当DUTに記録される。したがって、ハイフィックスボード300でDUTテストユニットを構成するドライバーの数だけ、同時に記録可能なDUTの数が拡張される。] [0028] 次に、DUTで出力される読取信号を処理する場合をみると、テストヘッダー側ALPG220は読み取りモードに設定する制御信号を出力してハイフィックス側ドライバー341a、343aの駆動を中止させる。すなわち、テストヘッダー側ALPG220はハイフィックス側ドライバー341a、343aをデセーブル(disable)、いわゆるHi−Z(high impedance)状態にするものであって、これにより、読み取りモードと書き取りモードとの間の信号衝突が防止される。この時、テストヘッダー側ドライバー240はその駆動がずっと維持されるが、その理由はハイフィックス側デジタル比較器331、333がフェイルかどうかを判定する時、テストヘッダー側ドライバー240で出力されるパターン信号を1つのパラメーターとして活用するためである。] [0029] また、ハイフィックス側コンパレータ341b、343bはそれぞれ、該当するDUTで出力される読取信号(出力電圧)をその基準信号(基準電圧)と比べてその比較値を出力する。そうすると、ハイフィックス側デジタル比較器331、333はハイフィックス側コンパレータ341b、343bで出力された信号に対してフェイルかどうかを判定し、その結果を保存する。この時、ハイフィックス側デジタル比較器331、333の記憶素子、すなわち、フリップフロップにはパス(pass)に該当する論理値「0」やフェイルに該当する論理値「1」が保存されるが、論理値「1」が一度保存されると、以後ハイフィックス側コンパレータ341b、343bで出力された信号がパスを示してもその値(フェイル値)が維持される。すなわち、図3に示すように、デジタル比較器331、333は順次にXOR及びOR論理演算をし、その値をフリップフロップに保存することになるが、このような演算過程によりフリップフロップに論理値「0」が保存されるとその値は「1」に変化されることができるが、一度「1」が保存されるとその値は不変になる。 ここで、フリップフロップはテストヘッダー側ALPG220から入力されるストロボ(strobe)、すなわちクロック(clock)信号に基づいて動作するものである。] 図3 [0030] このように、半導体デバイステストシステムは以上の半導体テスト過程、すなわち、読み取り/書き取り過程を数回繰り返して該当DUTに対するテストを終了することになる。したがって、DUTテストユニットでピンエレクトロニクス部の構成数だけI/Oチャンネルの数が倍になり、これによりテストヘッダー200のアップグレードがなくても一回にテストすることができるDUTの数が増加する。] [0031] 一方、DUTに対するテストが終わった後、テストヘッダー200はハイフィックス側フリップフロップに保存されている最終値を読み込む。具体的にみると以下のとおりである。] [0032] まず、テストヘッダー側ALPG220はテストヘッダー側ドライバー240をHi−Z状態にする。その次に、ALPG220はハイフィックス側スイッチ駆動部310を制御して第1ハイフィックス側デジタル比較器331とテストヘッダー200とを連結した後、第1ハイフィックス側デジタル比較器331から入力される論理値をテスト制御装置100に伝達する。] [0033] 次に、ALPG220は第1ハイフィックス側デジタル比較器331との連結を切り、第2ハイフィックス側デジタル比較器333とテストヘッダー200とを連結した後、第2ハイフィックス側デジタル比較器333から入力される論理値をテスト制御装置100に伝達する。] [0034] これにより、テスト制御装置100は伝達された論理値に基づいてテストトレイに積載されているDUTを等級別に分類するようにハンドラーを制御する。] [0035] 本発明の半導体デバイステストシステムは上述の実施例に限らず、本発明の技術思想が許容する範囲で多様に変形して実施することができる。] [0036] 100:テスト制御装置 200:テストヘッダー 210:タイミング発生部 220: ALPG 230:基準電圧供給部 240:ドライバー 250:コンパレータ 260:デジタル比較器 300:ハイフィックスボード 310: スイッチ駆動部 320: スイッチの束 331、333: デジタル比較器 341、343:ピンエレクトロニクス部 341a、343a: ドライバー 341b、343b: コンパレータ。]
权利要求:
請求項1 テスト制御装置によって半導体デバイスをテストするテストヘッダー及び、前記半導体デバイスと前記テストヘッダーとの間の電気的な連結を確立するが、前記テストヘッダー側ドライバーと一対をなして前記半導体デバイスから出力される読取信号を処理して前記テストヘッダーに伝達するDUTテストユニットを含んで構成されたハイフィックスボードとを含んでなる半導体デバイステストシステム。 請求項2 前記DUTテストユニットは: 前記テストヘッダーから入力されるパターン信号を前記半導体デバイスに記録するハイフィックス側ドライバーと、前記半導体デバイスから出力される読取信号と前記テストヘッダーから入力される基準信号を比べてその比較値を出力するハイフィックス側コンパレータとを含む複数のピンエレクトロニクス部と;前記複数のピンエレクトロニクス部それぞれに対応され、前記ハイフィックス側コンパレータで出力された信号に対してフェイルかどうかを判定してその結果を保存する複数のデジタル比較器と;前記テストヘッダーと前記複数のピンエレクトロニクス部との間の連結をオン/オフするスイッチの束及び、前記スイッチの束を駆動するスイッチ駆動部とを含んでなることを特徴とする請求項1に記載の半導体デバイステストシステム。 請求項3 前記スイッチ駆動部は前記テストヘッダーによって制御されることを特徴とする請求項2に記載の半導体デバイステストシステム。 請求項4 前記ハイフィックス側ドライバーは前記テストヘッダーによって制御されることを特徴とする請求項3に記載の半導体デバイステストシステム。 請求項5 前記DUTテストユニットは注文型半導体あるいはプログラム可能ゲート配列に具現されることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1つに記載の半導体デバイステストシステム。
类似技术:
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同族专利:
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引用文献:
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